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屈媛

2016-07-08 文字:  点击:[]

        

屈媛

副教授, 硕士生导师

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呼和浩特 010021

Email: quyuan@imu.edu.cn

 

个人简历

教育情况

2000.09-2004.07 澳门第一娱乐娱城官网数理基地专业学士学位

2000.09-2004.07 澳门第一娱乐娱城官网信息管理与信息系统双学士学位

2005.09-2010.07 澳门第一娱乐娱城官网理论物理专业博士学位

工作经历

2004.07-2005.07 内蒙古科技大学 理学院 助教

2010.07 – 2017.12 内蒙古大学澳门第一娱乐娱城官网 讲师

2013.12 – 今     被聘为澳门第一娱乐娱城官网硕士研究生导师

2018.01-今     澳门第一娱乐娱城官网 副教授

2017.07-2020.07中国科学院半导体研究所在职博士后


教学情况

承担《大学物理》、《分析力学》、《理论力学》等课程的教学工作。

 


培养研究生情况

2014年开始硕士研究生招生,目前培养硕士研究生13名,6名在读,7名分别获得硕士学位,4名考取博士研究生。其中1名硕士研究生学位论文获澳门第一娱乐娱城官网优秀硕士学位论文。


 


研究领域

凝聚态物理

目前主要研究:

      1. 半导体多层结构中的电子态及其输运性质

      2. 半导体纳米线中的电子态

目前结题的科研项目:

     1. 澳门第一娱乐娱城官网高层次人才引进科研启动项目:

项目名称:“应变对半导体异质结构光学声子及电子平行输运性质的调制”;

获批经费:5万元;

起止时间:2010年12月- 2013年12月。

2. 国家自然科学基金(青年基金)

项目名称:“声子散射下半导体核壳结构纳米线中的电子输运”;

获批经费:25万元;

项目执行期:2014年1月-2016年12月。

3. 内蒙古自然科学基金:半导体核壳结构纳米线中电子隧穿及相关问题

项目名称:“半导体核壳结构纳米线中电子隧穿及相关问题”;

获批经费:3万元;

项目执行期:2018年1月-2020年12月。

目前在研的科研项目:

4. 国家自然科学基金项目(地区基金)

项目名称:“半导体径向异质结构纳米线器件中隧穿相关性能的优化”;

获批经费:40万元;

项目执行期:20191-202212月。


 


奖励、荣誉和学术兼职

学术兼职

1.教育部高等学校大学物理课程教学指导委员会文科类物理课程工作委员会委员。


获奖、荣誉

1. 2014.03年被评为“澳门第一娱乐娱城官网2012-2013年度优秀女教职工”;

2. 2014.09年在2012年度“国家级大学生创新创业训练计划”项目终审验收活动中被评为优秀指导教师;

3. 2016年澳门第一娱乐娱城官网第十五届青年教师课堂教学技能大赛,获得理工科组二等奖;

4.2021年澳门第一娱乐娱城官网教师教学创新大赛副高组优秀奖。


 

 

 


主要论著

      1. D. Y. Jia, Y. Qu*, and S. L. Ban, Enhancement of optical phonons limited electron mobility in an AlGaN stepshaped quantum well.AIP Advances 12, 035206 (2022).

2. Z. X. Xue, Y. Qu*, and S. L. Ban, Optical phonon limited electron mobility in ZnO nanowires wrapped by MgZnO shells. Journal of Applied Physics 131, 025104 (2022).

3. Z. X. Xue, Y. Qu*, and S. L. Ban, Broadening of the optical absorption spectrum in ZnO nanowire induced by Mixed-phase MgxZn1-xO shell. Journal of Applied Physics 129, (2) 024502 (2021).

4. J. X. Wang,Y. Qu*, and S. L. Ban, Optical phonons and their transformation in cylindrical wurtzite core-multishell nanowires with ternary mixed crystal effect. Journal of Applied Physics 127, 065706 (2020)

5. Z. Gu, S. L. Ban, D. D. Jiang, and Y. Qu*, Effects of Two-mode Transverse Optical Phonons in Bulk Wurtzite AlGaN on Electronic Mobility in AlGaN/GaN Quantum Wells. Journal of Applied Physics, 121, 035703 (2017).

6. W. H. Liu, Y. Qu*, S. L. Ban, Electron mobility limited by optical phonons in wurtzite InGaN/GaN core-shell nanowires. Journal of Applied Physics, 122, 115104 (2017).

7. W. H. Liu, Y. Qu*, S. L. Ban, Intersubband optical absorption between multi energy levels of electrons in InGaN/GaN spherical core-shell quantum dots. Superlattices and Microstructures 102, 373-381(2017).

8. Y. H. Zan, S. L. Ban*Y. J. Chai, Y. Qu, Acoustic phonon modes in asymmetric AlxGa1-xN/GaN/AlyGa1-yN quantum wells. Superlattices and Microstructures 102, 64-73 (2017).

9. Z. Gu, Z. N. Zhu, M. M. Wang, Y.Q. Wang, M. S. Wang, Y. Qu, S. L. Ban*, Interband optical absorption in wurtzite MgxZn1−xO/ZnO/MgyZn1−yO asymmetric quantum wells, Superlattices and Microstructures,102, 391-398(2017).

10. 李群,屈媛,班士良*, 缓冲层对量子阱二能级系统中电子子带间跃迁光吸收的影响《物理学报》, 66(7),077301(2017).

11. Z. X. Xue, Y. Qu*, H. Xie and S. L. Ban, Transfer matrix method solving interface optical phonons in wurtzite core-multishell nanowires of III-nitrides. AIP Advances 6, 125207 (2016).

12. 刘文浩,冯慧敏,杨璐,杨硕,班士良,屈媛*, 低维量子系统中电子态的数值解法澳门第一娱乐娱城官网学报(自然科学版),46(4), 383-390 (2015) .

13. W. H. Liu, S. Yang, H. M. Feng, L. Yang, Y. Qu*, S.L. Ban, Effects of ternary mixed crystal and size on intersubband optical absorption in wurtzite InGaN/GaN core–shell nanowires. Superlattices and Microstructures, 83, 521–529 (2015).

14. J. Li, J. Y. Guan, S. F. Zhang, S. L. Ban and Y. Qu*, Effects of ternary mixed crystal and size on optical phonons in wurtzite nitride core-shell nanowires. Journal of Applied Physics, 115, 154305(2014).

15. 屈媛, 宗易昕, 马健, 李冬雪, 班士良. 体横光学声子双模性对纤锌矿AlxGa1-xN量子阱中光学声子的影响中国科学, 44, 150-161 (2014).

16. 王志强,屈媛,杨福军,班士良*,纤锌矿AlN/AlxGa1-xN/AlN量子阱中界面光学声子对电子迁移率的影响澳门第一娱乐娱城官网学报(自然科学版), 44(4), 267-375, (2013).

17. Y. Qu and S.L. Ban, Ternary mixed crystal effect on electron mobility in a strained wurtzite AlN/GaN/AlN quantum well with an InxGa1-xN nanogroove. Journal of Applied Physics 110(1), 013722 (2011).

18. 屈媛,班士良. 纤锌矿AlN/GaN/InN/GaN/AlN量子阱的界面和局域光学声子。澳门第一娱乐娱城官网学报(自然科学版),41(1), 57-65(2010).

19. 屈媛,班士良. 纤锌矿氮化物量子阱中光学声子模的三元混晶效应。物理学报,59(7),4863-4873 (2010).

20.Y. Quand S.L. Ban, Electron mobility in wurtzite nitride quantum wells limited by optical-phono ns and its pressure effect. European Physics Journal B,69, 321–329 (2009)


 

 

 

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